SSM6N35AFE,LF(T,Dual MOSFET, Dual N Channel, 20 V, 250 mA, 1.1 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046470927
- Артикул
- SSM6N35AFE,LF(T
- Бренд
- Toshiba
- PPAP
- No
- Material
- Si
- Mounting
- Surface Mount
- Packaging
- Tape and Reel
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH Si 20V 0,25A с 6-контактным разъемом ES T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 0.003 |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | Active |
| Configuration | Dual |
| Package Width | 1.2 |
| Package Length | 1.6 |
| Product Category | Small Signal |
| Supplier Package | ES |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | ES |
| Typical Fall Time (ns) | 5.5 |
| Typical Rise Time (ns) | 2 |
| Особенности | полевая сборка |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 250 |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | ±10 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 2 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 20 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 6.5 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 18@10V |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 1100@4.5V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 35 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.1 Ом |