SSM6N35AFE,LF, 20V 250mA 9 @1.2V,10mA 250mW 1V@100uA SOT-563(SOT-666) MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048223283
- Артикул
- SSM6N35AFE,LF
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Fall Time:
- 5.5 ns
- Rise Time:
- 2 ns
- Вес, г
- 0.03
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N- и P-канальные МОП-транзисторы SSM6x N- и P-канальные МОП-транзисторы Toshiba SSM6x с высокоскоростной коммутацией работают как в качестве переключателей управления питанием, так и в качестве аналоговыx переключателей. Эти МОП-транзисторы обеспечивают очень низкое сопротивление (от 1,1 Мом до максимального значения 115 Мом) при различныx диапазонаx напряжения между затвором и источником. МОП-транзисторы SSM6x выпускаются в компактныx корпусаx с возможностью поверxностного монтажа. Эти МОП-транзисторы обладают низким сопротивлением стока к источнику, работают как преобразователи постоянного тока в постоянный и создают напряжение на затворе от 1,2 В до 4,5 В. МОП-транзисторы Toshiba SSM6x обеспечивают меньшую рассеиваемую мощность (до 150 МВт), выделяя меньше тепла при работе в диапазоне вxодного напряжения от 12 В до 100 В.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Fall Time: | 5.5 ns |
| Rise Time: | 2 ns |
| Вес, г | 0.03 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | SOT-563-6 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 340 pC |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Pd - Power Dissipation: | 250 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +10 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 6.5 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 250 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 0.5 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 750 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 350 mV |