SSM6N357R,LF, MOSFETs LowON Res MOSFET ID=.65A VDSS=60V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006232224
- Артикул
- SSM6N357R,LF
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 0.02
- Серия
- SSM6N357R
- Упаковка
- Reel, Cut Tape
- Структура
- MOSFET
Цена по запросу
(от 410 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор LowON Res МОП-транзистор ID=.65A VDSS=60V
Технические параметры
| Вес, г | 0.02 |
| Серия | SSM6N357R |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | TSOP-6 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 1.5 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 650 mA |
| Коммерческое обозначение | MOSV |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.8 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 3000 ns |
| Типичное время задержки при включении | 990 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.3 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 65 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 500 mS |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |