SSM6N17FU(TE85L,F), 50V 100mA 40 @2.5V 200mW 1.5V@1uA 2 N-Channel TSSOP-6(SC-88)SOT-363 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048224101
- Артикул
- SSM6N17FU(TE85L,F)
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Вес, г
- 0.03
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 60 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSV-МОП-транзисторы Toshiba MOSV-МОП-транзисторы - это N-канальные МОП-транзисторы, предлагаемые в вариантаx с логическим вентильным приводом и низковольтным вентильным приводом. Эти устройства Toshiba обеспечивают напряжение пробоя между стоком и источником (VDS) в диапазоне от 50 до 60 В, а напряжение между затвором и источником (VGS) - от 4 до 20 В. МОП-транзисторы Toshiba MOSV предлагаются в корпусаx UFM, UF6, TSOP6F и SOT-23F, что обеспечивает гибкость конструкции.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Вес, г | 0.03 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | SC-70-6 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -7 V, +7 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 20 mS |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 20 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 50 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 900 mV |