SSM6N16FUTE85LF, MOSFETs N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062318192
- Артикул
- SSM6N16FUTE85LF
- Бренд
- Toshiba
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.21.0095
- Package
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
- FET Type
- 2 N-Channel (Dual)
Цена по запросу
(от 170 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 2 mm |
| Серия | SSM6N16 |
| FET Feature | Standard |
| Power - Max | 200mW |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Высота | 0.9 mm |
| Ширина | 1.25 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 100ВµA |
| Base Product Number | TLP350 -> |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 10mA, 4V |
| Supplier Device Package | US6 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 2 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9.3pF @ 3V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 100mA |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 100 mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5.2 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 125 ns |
| Типичное время задержки при включении | 70 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.1 V |