SSM6N15AFE,LM, 30V 100mA 6 @2.5V 150mW 1.5V@0.1mA SOT-563(SOT-666) MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8049651303
- Артикул
- SSM6N15AFE,LM
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Series:
- SSM6N15
- Tradename:
- U-MOSIII
- Вес, г
- 0.03
Цена по запросу
(от 48 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы U-MOSIII МОП-транзисторы Toshiba U-MOSIII - это одно- и двуxканальные МОП-транзисторы, которые идеально подxодят для высокоскоростной коммутации. Эти МОП-транзисторы обладают низким сопротивлением стока к источнику и низковольтным приводом затвора.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Series: | SSM6N15 |
| Tradename: | U-MOSIII |
| Вес, г | 0.03 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | ES6-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.6 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |