SSM6L820R,LF, MOSFETs X34 Small Signal MOSFET N-ch+P-ch VDSS=30V, VGSS=-8/+12V, RDS(@4.5V)=0.0391Ohm, ID=4A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018734881
- Артикул
- SSM6L820R,LF
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 300 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | TSOP-6F |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 3.2 nC, 6.7 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.8 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +12 V, -12 V, +6 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 21 ns, 26 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 17 ns, 54 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 39.1 mOhms, 45 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V, 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V, 1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -12 V, +12 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |