SSM6L56FE,LM(T,Dual MOSFET, N and P Channel, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.235 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046470922
- Артикул
- SSM6L56FE,LM(T
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 0.003
- No. of Pins
- 6Pins
- Channel Type
- N and P Channel
- Структура
- P-Channel
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.003 |
| No. of Pins | 6Pins |
| Channel Type | N and P Channel |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Case Style | SOT-563 |
| Особенности | полевая сборка |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Power Dissipation N Channel | 250mW |
| Power Dissipation P Channel | 250mW |
| Drain Source Voltage Vds N Channel | 20V |
| Drain Source Voltage Vds P Channel | 20V |
| Continuous Drain Current Id N Channel | 800mA |
| Continuous Drain Current Id P Channel | 800mA |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.235ohm |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.39ohm |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.15 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.235 Ом |