SSM6L56FE,LM, 20V 840m @1.5V,50mA 150mW 1V@1mA 1 N-Channel + 1 P-Channel SOT-563(SOT-666) MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048300097
- Артикул
- SSM6L56FE,LM
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Вес, г
- 0.06
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Цена по запросу
(от 49 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Кремниевые P-/N-канальные МОП-транзисторы SSM6L56FE Кремниевые P-/N-канальные МОП-транзисторы Toshiba SSM6L56FE предназначены для высокоскоростной коммутации. МОП-транзисторы SSM6L56FE оснащены приводом напряжением 1,5 В и низким сопротивлением включению источника питания.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Вес, г | 0.06 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | ES-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1 nC, 1.6 nC |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.5 ns, 8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 8.5 ns, 26 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 800 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 1.4 S, 0.5 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 235 mOhms, 390 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |