SSM6L36FE,LM(B, Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 0.5A/0.33A 6-Pin ES
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014218573
- Артикул
- SSM6L36FE,LM(B
- Бренд
- Toshiba
- PPAP
- No
- Category
- Small Signal
- Material
- Si
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 68 ₽)
Минимальный заказ: 450 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N/P-CH Si 20 В 0,5 А/0,33А с 6-контактным разъемом ES
Технические параметры
| PPAP | No |
| Category | Small Signal |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | Active |
| Configuration | Dual |
| Package Width | 1.2 |
| Package Length | 1.6 |
| Supplier Package | ES |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 150 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 1.23@4V@N Channel, 1.2@4V@P Channel |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | ±10@N Channel, ±8@P Channel |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 46@10V@N Channel, 43@10V@P Channel |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 630@5V@N Channel, 1310@4.5V@P Channel |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.15 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |