SSM6L35FU(TE85L,F), 20V 180mA 44 @1.2V,2mA 200mW 1V@1mA 1 N-Channel + 1 P-Channel TSSOP-6(SC-88)SOT-363 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048298722
- Артикул
- SSM6L35FU(TE85L,F)
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 0.06
- Длина
- 2 mm
- Серия
- SSM6L35
- Высота
- 0.9 mm
Цена по запросу
(от 230 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Ch Sm Sig FET 0.1A -0.1A 20V 2-in1
Технические параметры
| Вес, г | 0.06 |
| Длина | 2 mm |
| Серия | SSM6L35 |
| Высота | 0.9 mm |
| Ширина | 1.25 mm |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | MOSFET |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | SOT-363-6 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel, P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 180 mA, 100 mA |
| Коммерческое обозначение | MOSVI |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 11 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 300 ns, 251 ns |
| Типичное время задержки при включении | 115 ns, 175 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |