SSM6L35FE,LM(T, Trans MOSFET N/P-CH Si 20V 0.18A/0.1A 6-Pin ES T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8023464082
- Артикул
- SSM6L35FE,LM(T
- Бренд
- Toshiba
- PPAP
- No
- Material
- Si
- Mounting
- Surface Mount
- Packaging
- Tape and Reel
Цена по запросу
(от 68 ₽)
Минимальный заказ: 450 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N/P-CH Si 20 В 0,18А/0,1 А с 6-контактным разъемом ES T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | Active |
| Configuration | Dual |
| Package Width | 1.2 |
| Package Length | 1.6 |
| Product Category | Small Signal |
| Supplier Package | ES |
| Структура | N-Channel, P-Channel |
| Standard Package Name | ES |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 150 |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | ±10 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 9.5@3V@N Channel|12.2@3V@P Channel |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 3000@4V@N Channel|8000@4V@P Channel |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.18@N Channel|0.1@P Channel |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |