SSM6L35FE,LM, MOSFETs Small Signal MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006222718
- Артикул
- SSM6L35FE,LM
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 0.01
- Длина
- 1.6 mm
- Серия
- SSM6L35
- Высота
- 0.55 mm
Цена по запросу
(от 150 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Small Signal МОП-транзистор
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 1.6 mm |
| Серия | SSM6L35 |
| Высота | 0.55 mm |
| Ширина | 1.2 mm |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | ES6-6 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel, P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 180 mA, 100 mA |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 20 Ohms, 44 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 400 mV |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |