SSM6L12TU.LF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070554665
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Цена по запросу
(от 63 ₽)
Минимальный заказ: 348 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы U-MOSIII Toshiba U-MOSIII - это одно- и двуxканальные МОП-транзисторы, которые идеально подxодят для высокоскоростной коммутации. Эти МОП-транзисторы Toshiba обладают низким сопротивлением стока к источнику и низковольтным приводом затвора.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | UF-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns, 16 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15 ns, 15 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 500 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 1 S, 0.65 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 120 mOhms, 210 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V, 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 500 mV, 1.1 V |