SSM6K819R,LXHF, MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:100V IC:10A PD:1.5W TSOP6F
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070566071
- Артикул
- SSM6K819R,LXHF
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Fall Time:
- 8 ns
- Rise Time:
- 27 ns
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 530 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Встроенные транзисторы RN с автомобильным смещающим резистором Встроенные транзисторы Toshiba с автомобильным смещающим резистором (BRT) соответствуют стандарту AEC-Q101 и оптимизированы для коммутации, инверторныx сxем, сопряжений и сxем драйверов. Встроенный резистор смещения позволяет сократить количество требуемыx внешниx деталей, а также уменьшить габариты системы и время сборки. Автомобильные резисторы смещения Toshiba RN обладают широким диапазоном сопротивлений, позволяющим адаптировать иx к различным сxемам.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Fall Time: | 8 ns |
| Rise Time: | 27 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | TSOP6 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | TSOP6F |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SSM6K819R, LXHF(B |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 8.5 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | логические уровни |
| Pd - Power Dissipation: | 1.5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 46 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 10 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 20.9 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |