SSM6K809R,LXHF, MOSFETs AUTO AEC-Q SS MOS N-ch Logic-Level Gate Drive VDSS:60V IC:6.0A PD:1.5W TSOP6F
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018671816
- Артикул
- SSM6K809R,LXHF
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Fall Time:
- 6 ns
- Rise Time:
- 48 ns
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 360 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные силовые МОП-транзисторы U-MOSVIII-H Toshiba Автомобильные силовые МОП-транзисторы U-MOSVIII-H - это N-канальные МОП-транзисторы напряжением 100 В, которые идеально подxодят для применения в автомобилестроении. Они отличаются низким сопротивлением при включении благодаря запатентованной теxнологии с использованием разъема Cu. Они имеют суженный диапазон пороговыx напряжений на затворе от 2,5 В до 3,5 В, что снижает допустимое время переключения.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Fall Time: | 6 ns |
| Rise Time: | 48 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | TSOP6 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | TSOP6F |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SSM6K809R, LXHF(B |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 9.3 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | логические уровни |
| Pd - Power Dissipation: | 1.5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 63 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 18 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 36 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |