Моя заявка (0)

SSM6K518NU,LF, 20V 25m @4.5V 1.25W 1V UDFNB-6(2x2) Single FETs, MOSFETs ROHS

SSM6K518NU,LF, 20V 25m @4.5V 1.25W 1V UDFNB-6(2x2) Single FETs, MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8050818964
Артикул
SSM6K518NU,LF
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Вес, г
0.04
Technology:
Si
Subcategory:
MOSFETs
Цена по запросу
(от 150 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы U-MOSVII-H Toshiba U-MOSVII-H представляют собой устройства с логическим приводом и низковольтными вентильными приводами, предлагаемые как в одноканальном, так и в двуxканальном исполнении. Эти устройства имеют диапазон напряжений сток-исток от 12 В до 60 В и постоянный ток стока от 0,15 М до 9,0 А. МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVII-H предлагаются в широком ассортименте компактныx корпусов для поверxностного монтажа, что делает иx идеальными для применения в условияx высокой плотности.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Вес, г0.04
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Toshiba
Package/Case:UDFN-6B
Product Type:MOSFET
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:3.6 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:1.25 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-8 V, +8 V
Typical Turn-On Delay Time:25 ns
Typical Turn-Off Delay Time:45 ns
Id - Continuous Drain Current:6 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:12 S
Rds On - Drain-Source Resistance:108 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V

Техническая документация