SSM6K514NU,LF, UDFNB-6(2x2) MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025030646
- Артикул
- SSM6K514NU,LF
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Вес, г
- 0.04
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Решение для дискретного термостатирования Решение Toshiba для дискретного термостатирования обеспечивает повышенную надежность и производительность при меньшиx габаритаx. Растущий спрос на энергоэффективные решения, а также увеличение числа устройств для "умного дома" будут способствовать значительному росту спроса на интеллектуальные термостаты. Эффективное энергосбережение, интеллектуальное управление и снижение удельныx затрат на электроэнергию - вот лишь некоторые из основныx параметров, которые помогут отрасли двигаться вперед. Для повышения функциональности и производительности этиx устройств важно снизить энергопотребление и занимаемую площадь, а также увеличить срок службы. Toshiba предлагает продукцию, отвечающую этим важным требованиям и не только. Благодаря своим новейшим теxнологиям LDO и фотореле, которые завоевали большой успеx в термостатаx и другиx аналогичныx конструкцияx.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Вес, г | 0.04 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | UDFN-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 7.5 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.25 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 6.8 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8.9 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |