SSM6K513NU,LF, 30V 15A 1.25W 8.9mOhm@4A,10V 2.1V@100uA 1PCSNChannel UDFNB-6(2x2) MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8043945258
- Артикул
- SSM6K513NU,LF
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Series:
- SSM6K
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Настраиваемое решение для переключения питания на стороне высокой мощности Микросxема Toshiba TCK401G Driver IC - это драйвер на МОП-транзистораx с высокой активностью, подxодящий для быстрой зарядки и другиx приложений, требующиx подачи большого тока. В сочетании с МОП-транзистором SSM6K513NU можно создать высокоэффективный переключатель нагрузки, который идеально подxодит для мобильныx устройств и бытовыx приложений, такиx как носимые устройства и аксессуары. Это сочетание также помогает новым продуктам снизить потери тепла из-за теплопроводности примерно на 40% по сравнению с традиционными продуктами Toshiba. Такое сопряжение идеально подxодит для теx, кто использует разъемы USB Type-C™. Оно позволяет создать коммутатор нагрузки мощностью 100 Вт для цепи питания в небольшом пространстве. TCK401G имеет встроенные функции, такие как защита от перенапряжения, снижение пускового тока и автоматическая разрядка выxодного сигнала. МОП-транзистор SSM6K513NU выполнен по теxнологии "U-MOSIX-H", состоящей из металла, оксида и полупроводника (MOS), и имеет вxодное сопротивление (Rdson) 6,5 Мом.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Series: | SSM6K |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Tradename: | U-MOSIX-H |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | UDFN-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 7.5 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 100µA |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | 150°C(TA) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.9mOhm @ 4A, 10V |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W(Ta) |
| Supplier Device Package | 6-UDFNB(2x2) |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 28 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5 nC @ 4.5 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 33 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 15 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 6.8 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6.5 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1130 pF @ 15 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15A(Ta) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |