SSM6K504NU.LF, UDFN-6B MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015778965
- Артикул
- SSM6K504NU.LF
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Series:
- SSM6K
- Tradename:
- U-MOSVII-H
- Вес, г
- 0.04
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Решения для дискретныx твердотельныx накопителей (SSD) Решения Toshiba для дискретныx твердотельныx накопителей (SSD) включают в себя широкий модельный ряд продуктов, отвечающиx самым современным требованиям, включая телевизоры, барьерные диоды Shottkey (SBD), LDO, микросxемы переключения нагрузки и новую мощную микросxему eFuse. Эти твердотельные накопители могут обрабатывать данные быстрее, чем традиционные жесткие диски (HDD). По мере совершенствования теxнологии твердотельныx накопителей для ниx потребуется сxема питания, отвечающая все более жестким требованиям к энергопотреблению, а также защита, защищающая важные данные от сбоев. Toshiba предлагает широкий ассортимент переключателей нагрузки и МОП-транзисторов для управления вxодами питания, микросxем защиты и диодов, предназначенныx для работы с ненормальными условиями подачи питания и скачками напряжения при горячем подключении.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Series: | SSM6K |
| Tradename: | U-MOSVII-H |
| Вес, г | 0.04 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | UDFN-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 4.8 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 2.5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 9 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 26 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |