Моя заявка (0)

SSM6K504NU, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 9А; Idm: 18А; 1,25Вт; uDFN6

SSM6K504NU, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 9А; Idm: 18А; 1,25Вт; uDFN6

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8013626290
Артикул
SSM6K504NU
Бренд
Toshiba
Case
uDFN6
Mounting
SMD
Вес, г
0.03
Gate charge
4.8nC
Цена по запросу
(от 53 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

CaseuDFN6
MountingSMD
Вес, г0.03
Gate charge4.8nC
ManufacturerTOSHIBA
Polarisationunipolar
Drain current9A
Kind of channelenhanced
Kind of packagereel, tape
Power dissipation1.25W
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураMOSFET
Gate-source voltage±20V
On-state resistance26mΩ
Drain-source voltage30V
Pulsed drain current18A
Особенности-
Features of semiconductor devicesESD protected gate
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А9
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация