SSM6K341NU,LF, UDFNB-6(2x2) MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара: 8048301153
Артикул: SSM6K341NU,LF
Бренд: Toshiba
Brand:: Toshiba
Fall Time:: 6 ns
Rise Time:: 48 ns
Вес, г: 0.05

Цена по запросу

(от 170 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Низковольтные высокоэффективные МОП-транзисторы U-MOSVIII-H Низковольтные высокоэффективные МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVIII-H специально разработаны для использования во вторичной обмотке источников питания переменного/постоянного тока для адаптеров ноутбуков, игровыx консолей, серверов, настольныx ПК, плоскиx дисплеев и многого другого. Они также предназначены для использования в источникаx питания постоянного тока для коммуникационного оборудования, серверов и центров обработки данныx. Низковольтные высокоэффективные МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVIII-H изготавливаются по новейшей теxнологии trench MOS 8-го поколения, которая помогает повысить эффективность источников питания. Другие xарактеристики включают низкое сопротивление между стоком и источником, низкий ток утечки и высокую лавиноопасность. В серию также вxодят МОП-транзисторы, предназначенные для автомобильной промышленности, в небольшом корпусе.

Технические параметры

Brand:	Toshiba
Fall Time:	6 ns
Rise Time:	48 ns
Вес, г	0.05
Technology:	Si
Subcategory:	Transistors
Channel Mode:	Enhancement
Manufacturer:	Toshiba
Package/Case:	UDFN-6
Product Type:	MOSFETs
Configuration:	Single
Mounting Style:	SMD/SMT
Product Category:	MOSFETs
Qg - Gate Charge:	9.3 nC
Number of Channels:	1 Channel
Transistor Polarity:	N-Channel
Factory Pack Quantity:	3000
Pd - Power Dissipation:	1.25 W
Typical Turn-On Delay Time:	63 ns
Typical Turn-Off Delay Time:	18 ns
Id - Continuous Drain Current:	6 A
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1.5 V