SSM6K217FE,LF, MOSFETs Small Signal MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006232786
- Артикул
- SSM6K217FE,LF
- Бренд
- Toshiba
- ECCN
- EAR99
- Type
- Small Signal
- HTSUS
- 8541.21.0095
- Series
- U-MOSVII-H ->
Цена по запросу
(от 220 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Small Signal МОП-транзистор
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| Type | Small Signal |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Series | U-MOSVII-H -> |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting | Surface Mount |
| Polarity | N |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Vgs (Max) | В±12V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 1.6 mm |
| Серия | SSM6K |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Channel Mode | Enhancement |
| Package Type | ES |
| Rad Hardened | No |
| Высота | 0.55 mm |
| Ширина | 1.2 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Power Dissipation | 0.5(W) |
| Number of Elements | 1 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 1mA |
| Структура | MOSFET |
| Base Product Number | 2SC4881 -> |
| Drain-Source On-Volt | 40(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 195mOhm @ 1A, 8V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Supplier Device Package | ES6 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Continuous Drain Current | 1.8(A) |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±12(V) |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | ES6-6 |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.1nC @ 4.2V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Qg - заряд затвора | 1.1 nC |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 130pF @ 10V |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 8V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 1.8A (Ta) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| Id - непрерывный ток утечки | 1.8 A |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 400 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 500 mV |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |