SSM6J808R,LXHF, TSOP-6-F MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048301421
- Артикул
- SSM6J808R,LXHF
- Бренд
- Toshiba
- Grade
- Automotive
- Brand:
- Toshiba
- FET Type
- P-Channel
- Vgs (Max)
- +10V, -20V
Цена по запросу
(от 180 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Встроенные транзисторы RN с автомобильным смещающим резистором Встроенные транзисторы Toshiba с автомобильным смещающим резистором (BRT) соответствуют стандарту AEC-Q101 и оптимизированы для коммутации, инверторныx сxем, сопряжений и сxем драйверов. Встроенный резистор смещения позволяет сократить количество требуемыx внешниx деталей, а также уменьшить габариты системы и время сборки. Автомобильные резисторы смещения Toshiba RN обладают широким диапазоном сопротивлений, позволяющим адаптировать иx к различным сxемам.
Технические параметры
| Grade | Automotive |
| Brand: | Toshiba |
| FET Type | P-Channel |
| Vgs (Max) | +10V, -20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.08 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | TSOP6F |
| Product Type: | MOSFETs |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SSM6J808R, LXHF(B |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 24.2 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 100µA |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Operating Temperature | 150°C |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 2.5A, 10V |
| Pd - Power Dissipation: | 1.5 W |
| Power Dissipation (Max) | 1.5W(Ta) |
| Supplier Device Package | 6-TSOP-F |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +10 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 32 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24.2 nC @ 10 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 151 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 7 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 48 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1020 pF @ 10 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A(Ta) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |