SSM6J512NU,LF, UDFNB-6(2x2) MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048304423
- Артикул
- SSM6J512NU,LF
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Вес, г
- 0.04
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 53 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы U-MOSVII Toshiba U-MOSVII МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVII - это одно- и двуxканальные МОП-транзисторы с P-каналом, низковольтным затвором и низким сопротивлением стока-истока. Эти устройства Toshiba имеют диапазон напряжений стока от -12 В до -20 В и постоянный ток стока от -1 А до +14 А. МОП-транзисторы U-MOSVII предлагаются в широком ассортименте корпусов, что обеспечивает гибкость конструкции.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 0.04 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | UDFN-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 19.5 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.25 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +10 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 10 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 40.1 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |