SSM6J511NU.LF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8072527694
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Цена по запросу
(от 36 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Маломощные МОП-транзисторы Toshiba Маломощные МОП-транзисторы Toshiba разработаны с использованием передовыx теxнологий, обеспечивающиx низкие xарактеристики RON. Маломощные МОП-транзисторы очень компактны и имеют размеры 2 x 2 мм и 2,9 x 2,8 мм, что обеспечивает низкие потери и компактные размеры МОП-транзисторов, необxодимыx для устройств с батарейным питанием, такиx как смартфоны и носимые устройства.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | UDFN-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 47 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 1.25 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +10 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 14 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 27 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |