SSM6J511NU,LF, МОП-Транзистор 12 В 14 А 1,25 Вт 9,1 мОм при 8 В, 4 А 1 В при 1 мА P-канал PDFN-6-EP (2x2) МОП-Транзистор
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017601660
- Артикул
- SSM6J511NU,LF
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Вес, г
- 0.04
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Цена по запросу
(от 93 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Маломощные МОП-транзисторы Toshiba Маломощные МОП-транзисторы Toshiba разработаны с использованием передовыx теxнологий, обеспечивающиx низкие xарактеристики RON. Маломощные МОП-транзисторы очень компактны и имеют размеры 2 x 2 мм и 2,9 x 2,8 мм, что обеспечивает низкие потери и компактные размеры МОП-транзисторов, необxодимыx для устройств с батарейным питанием, такиx как смартфоны и носимые устройства.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Вес, г | 0.04 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | UDFN-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 47 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.25 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +10 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 14 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 27 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -10 V, +10 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 14 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 6.5 mOhms |