SSM6J511NU, Транзистор P-MOSFET, полевой, -12В, -14А, 1,25Вт, uDFN6
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8060214207
- Артикул
- SSM6J511NU
- Бренд
- Toshiba
- Q(g)
- 47 nC
- V(DS)
- 12 V
- P(tot)
- 1.25 W
- Series
- U-MOSVII
Цена по запросу
(от 140 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Q(g) | 47 nC |
| V(DS) | 12 V |
| P(tot) | 1.25 W |
| Series | U-MOSVII |
| Package | UDFN6B |
| FET Type | P-Channel |
| Mounting | SMD |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Vgs (Max) | В±10V |
| Automotive | NO |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Logic level | NO |
| Part Status | Active |
| RoHS Status | RoHS-conform |
| Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Configuration | P-CH |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Fast bodydiode | NO |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| I(D)at Tc=25°C | 14 A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.1mOhm @ 4A, 8V |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W(Ta) |
| Supplier Device Package | 6-UDFNB(2x2) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 47nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3350pF @ 6V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 8V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 14A(Ta) |