SSM6J507NU,LF(T,Power MOSFET, P Channel, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOT-1220, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046445937
- Артикул
- SSM6J507NU,LF(T
- Бренд
- Toshiba
- PPAP
- No
- Material
- Si
- Mounting
- Surface Mount
- Packaging
- Tape and Reel
Цена по запросу
(от 260 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзисторный MOSFET P-CH Si 30V 10A 6-контактный UDFN EP T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 0.85 |
| No. of Pins | 6Pins |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | Active |
| Channel Type | P Channel |
| Configuration | Single Quad Drain |
| Package Width | 2 |
| Product Range | U-MOSIV Series |
| Package Length | 2 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | UDFN EP |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Process Technology | U-MOS VI |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Standard Package Name | DFN |
| Transistor Case Style | SOT-1220 |
| Особенности | - |
| Drain Source Voltage Vds | 30V |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Continuous Drain Current Id | 10A |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2500 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 13.6@4.5V |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 30 |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 2.2V |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.2 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1150@15V |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 20@10V |
| Maximum Gate-Source Leakage Current (nA) | 1000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 900mV@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.02 Ом |