SSM6J507NU,LF, 30V 10A 1.25W 20mOhm@10V,4A 2.2V@250uA P Channel UDFN-6-B MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017601667
- Артикул
- SSM6J507NU,LF
- Бренд
- Toshiba
- Brand
- Toshiba
- Series
- SSM6J507
- Packaging
- Cut Tape or Reel
- Tradename
- U-MOSVI
Цена по запросу
(от 76 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
SSM6J507NU,LF, Транзистор
Технические параметры
| Brand | Toshiba |
| Series | SSM6J507 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Tradename | U-MOSVI |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.04 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Toshiba |
| Product Type | MOSFET |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | UDFN6B-6 |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 13.6 nC |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 55 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 170 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 10 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 20 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 20мОм |