SSM6J503NU,LF, MOSFETs SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8066219950
- Артикул
- SSM6J503NU,LF
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 0.01
- Длина
- 2 mm
- Серия
- SSM6J503
- Высота
- 0.75 mm
Цена по запросу
(от 210 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор SM Sig P-CH MOS ID -6A -20V -8 VGSS
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 2 mm |
| Серия | SSM6J503 |
| Высота | 0.75 mm |
| Ширина | 2 mm |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | UDFN-6 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Qg - заряд затвора | 12.8 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 6 A |
| Коммерческое обозначение | U-MOSVI |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 89.6 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |