SSM6J501NU,LF(B, Trans MOSFET P-CH 20V 10A 6-Pin UDFN-B EP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014872830
- Артикул
- SSM6J501NU,LF(B
- Бренд
- Toshiba
- PPAP
- No
- Category
- Power MOSFET
- Mounting
- Surface Mount
- Pin Count
- 6
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Минимальный заказ: 250 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET P-CH 20V 10A 6-контактный UDFN-B EP
Технические параметры
| PPAP | No |
| Category | Power MOSFET |
| Mounting | Surface Mount |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | Active |
| Configuration | Single Quad Drain |
| Package Width | 2 |
| Package Length | 2 |
| Supplier Package | UDFN-B EP |
| Структура | MOSFET |
| Standard Package Name | DFN |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 29.9@4.5V |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | ±8 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 2600@10V |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 15.3@4.5V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |