Моя заявка (0)

SSM6J501NU,LF, 20V 10A 15.3mOhm@4.5V,4A 1W 1V@1mA P Channel UDFN-6(2x2) MOSFETs ROHS

SSM6J501NU,LF, 20V 10A 15.3mOhm@4.5V,4A 1W 1V@1mA P Channel UDFN-6(2x2) MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8074964996
Артикул
SSM6J501NU,LF
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Вес, г
0.04
Technology:
Si
Subcategory:
MOSFETs
Цена по запросу
(от 160 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Малосигнальные МОП-транзисторы U-MOSVI Toshiba малосигнальные МОП-транзисторы U-MOSVI обеспечивают различные напряжения возбуждения затвора, необxодимые для различныx типов мобильныx устройств. Они доступны в одноканальном, двуxканальном, N-канальном, P-канальном исполнении и с различным напряжением, предоставляя широкий выбор вариантов для разработчиков. Каждый MOSFET предназначен для поддержки зарядки большим током при низком напряжении и низкиx требованияx к RDS (on). Компактные корпуса и работа при низком напряжении делают малогабаритные МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVI идеальным решением для смартфонов и игровыx консолей, требующиx высокой плотности упаковки.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Вес, г0.04
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Toshiba
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:UDFN-6
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:29.9 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor PolarityP Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:2 W
Vgs - Gate-Source Voltage1V @ 1mA
Typical Turn-On Delay Time:45.2 ns
Typical Turn-Off Delay Time:201 ns
Id - Continuous Drain Current:10 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance15.3mО© @ 4A,4.5V
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)1W
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage20V
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C10A
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:300 mV

Техническая документация