SSM6J216FE.LF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070444492
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 1
- Серия
- SSM6J216FE
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 67 ₽)
Минимальный заказ: 136 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор LowON Res МОП-транзистор ID=--4.8A VDSS=-12V
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Серия | SSM6J216FE |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | SOT-563-6 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Qg - заряд затвора | 12.7 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 700 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.8 A |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 26 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 145 ns |
| Типичное время задержки при включении | 32 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 5 S |