SSM6J212FE,LF, MOSFETs P-Ch U-MOS VI FET ID -4A -20VDSS 500mW
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006252699
- Артикул
- SSM6J212FE,LF
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 0.04
- Длина
- 1.6 mm
- Серия
- SSM6J212
- Высота
- 0.55 mm
Цена по запросу
(от 270 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор P-Ch U-MOS VI FET ID -4A -20VDSS 500mW
Технические параметры
| Вес, г | 0.04 |
| Длина | 1.6 mm |
| Серия | SSM6J212 |
| Высота | 0.55 mm |
| Ширина | 1.2 mm |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | ES6-6 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Qg - заряд затвора | 14.1 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 4 A |
| Коммерческое обозначение | U-MOSVI |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 94 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 0.8…1.5 В |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |