SSM6J207FE,LF, MOSFETs Small-signal FET 0.491Ohm -1.4A -30V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006221666
- Артикул
- SSM6J207FE,LF
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Вес, г
- 0.04
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 240 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Вес, г | 0.04 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | ES6-6 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 14 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 191 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.6 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.491Ом |