SSM5N16FUTE85LF, MOSFETs N-Ch Sm Sig FET 0.1A 20V 2-in-1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006251506
- Артикул
- SSM5N16FUTE85LF
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 0.01
- Длина
- 2 mm
- Серия
- SSM5N16FU
- Высота
- 0.9 mm
Цена по запросу
(от 240 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Ch Sm Sig FET 0.1A 20V 2-in-1
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Длина | 2 mm |
| Серия | SSM5N16FU |
| Высота | 0.9 mm |
| Ширина | 1.25 mm |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | SOT-353-5 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 100 mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 125 ns |
| Типичное время задержки при включении | 70 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 600 mV |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.1 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 40 mS |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4 Ohms |