SSM5H90ATU,LF, MOSFETs Small Signal MOSFET N-ch VDSS=60V, VGSS=+/-20V, ID=0.3A, RDS(ON)=1.75Ohm @ 4.5V, in SSM package
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8066096672
- Артикул
- SSM5H90ATU,LF
- Бренд
- Toshiba
- Вес, г
- 0.01
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
- Тип продукта
- MOSFET
Цена по запросу
(от 200 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Small Signal МОП-транзистор N-ch VDSS=60V, VGSS=+/-20V, ID=0.3A, RDS(ON)=1.75Ohm @ 4.5V, in SSM package
Технические параметры
| Вес, г | 0.01 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | UFV-5 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 2.2 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 2.4 A |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 65 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Типичное время задержки выключения | 9.5 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |