Моя заявка (0)

SSM5H16TU,LF, MOSFETs Small Signal MOSFET N-ch + SBD VDSS=30V, VR=30V,I(SBD)= 0.8A,VGSS=+/- 12V,ID=1.9A,RDS (ON)=0.103Ohm@4V

SSM5H16TU,LF, MOSFETs Small Signal MOSFET N-ch + SBD VDSS=30V, VR=30V,I(SBD)= 0.8A,VGSS=+/- 12V,ID=1.9A,RDS (ON)=0.103Ohm@4V

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062930938
Артикул
SSM5H16TU,LF
Бренд
Toshiba
Вес, г
0.01
Технология
Si
Вид монтажа
SMD/SMT
Тип продукта
MOSFET
Цена по запросу
(от 33 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Small Signal МОП-транзистор N-ch + SBD VDSS=30V, VR=30V,I(SBD)=0.8A,VGSS=+/-12V,ID=1.9A,RDS(ON)=0.103Ohm@4V

Технические параметры

Вес, г0.01
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаToshiba
Упаковка / блокUFV-5
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора1.9 nC
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности500 mW
Id - непрерывный ток утечки1.9 A
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток12 V, + 12 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток133 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 125 C
Типичное время задержки выключения6.4 ns
Типичное время задержки при включении9.2 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V

Техническая документация