SSM3K72CTC,L3F, MOSFETs Small-signal MOSFET VDSS=60V, ID=0.15A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006261412
- Артикул
- SSM3K72CTC,L3F
- Бренд
- Toshiba
- PPAP
- No
- Material
- Si
- Mounting
- Surface Mount
- Packaging
- Tape and Reel
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH Si 60V 0,15A с 3-контактным разъемом CST-C T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Package Width | 0.8 |
| Package Length | 0.6 |
| Product Category | Small Signal |
| Supplier Package | CST-C |
| Структура | MOSFET |
| Typical Fall Time (ns) | 24 |
| Typical Rise Time (ns) | 3 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 500 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 0.27@4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 7 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 0.15 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 11@10V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 3900@10V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.15 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |