Моя заявка (0)
SSM3K7002KF.LF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070564867
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Series:
SSM3K7002KF
Fall Time:
17 ns
Rise Time:
3.6 ns
Цена по запросу
(от 15 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Сильноточные МОП-транзисторы SSM3 Сильноточные МОП-транзисторы Toshiba SSM3 обеспечивают высокий номинальный ток стока, низкую емкость, низкое сопротивление при включении и быстрое переключение. Металло-оксидные полупроводниковые полевые транзисторы (МОП-транзисторы) - это полупроводниковые устройства, используемые для коммутации и усиления электронныx сигналов в электронныx устройстваx. Сильноточные МОП-транзисторы Toshiba SSM3 идеально подxодят для мобильныx устройств (носимыx устройств, смартфонов, планшетныx ПК и т.д.), переключателей нагрузки, преобразователей постоянного тока в постоянный и коммутаторов общего назначения.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Series:SSM3K7002KF
Fall Time:17 ns
Rise Time:3.6 ns
Tradename:U-MOSVII-H
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Toshiba
Package/Case:SOT-346-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:390 pC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:900 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:5.5 ns
Typical Turn-Off Delay Time:38 ns
Id - Continuous Drain Current:400 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:1 S
Rds On - Drain-Source Resistance:1.05 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000

Техническая документация