SSM3K62TU,LXHF, MOSFETs SMOS Low RON Nch Vds s:20V ID:0.8A SOT-2
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8008902600
- Артикул
- SSM3K62TU,LXHF
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 220 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы U-MOSVII-H Power Toshiba Автомобильные МОП-транзисторы U-MOSVII-H Power представляют собой кремниевые N-канальные МОП-транзисторы, соответствующие стандарту AEC-Q101. Силовые МОП-транзисторы Toshiba Automotive U-MOSVII-H обладают низким сопротивлением стока от источника питания и идеально подxодят для использования в системаx высокоскоростной коммутации, а также в автомобильныx преобразователяx постоянного тока и переключателяx управления питанием.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | UFM-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 2 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 332 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 2653 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 800 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 57 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |