Моя заявка (0)
SSM3K62TU.LF

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070630558
Бренд
Toshiba
Series
U-MOSVII-H
FET Type
N-Channel
Packaging
Tape & Reel(TR)
Vgs (Max)
В±8V
Цена по запросу
(от 31 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор LowON Res МОП-транзистор ID=.8A VDSS=20V

Технические параметры

SeriesU-MOSVII-H
FET TypeN-Channel
PackagingTape & Reel(TR)
Vgs (Max)В±8V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
FET Feature-
Part StatusActive
ManufacturerToshiba Semiconductor and Storage
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case3-SMD, Flat Leads
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA
ТехнологияSi
Operating Temperature150В°C
Вид монтажаSMD/SMT
Rds On (Max) @ Id, Vgs57 mOhm @ 800mA, 4.5V
Power Dissipation (Max)1W(Ta)
Supplier Device PackageUFM
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаToshiba
Упаковка / блокUFM-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2nC @ 4.5V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Qg - заряд затвора2 nC
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds177pF @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C800mA(Ta)
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности500 mW (1/2 W)
Id - непрерывный ток утечки800 mA
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток8 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток43 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения2653 ns
Типичное время задержки при включении332 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток400 mV
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.3 S

Техническая документация