SSM3K56MFV,L3F(B, Trans MOSFET N-CH Si 20V 0.8A 3-Pin VESM
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014106637
- Артикул
- SSM3K56MFV,L3F(B
- Бренд
- Toshiba
- PPAP
- No
- Category
- Small Signal
- Material
- Si
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 30 ₽)
Минимальный заказ: 1100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH Si 20V 0,8A с 3-контактным разъемом VESM
Технические параметры
| PPAP | No |
| Category | Small Signal |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Configuration | Single |
| Package Width | 0.8 |
| Package Length | 1.2 |
| Supplier Package | VESM |
| Структура | N-Channel |
| Standard Package Name | SOT |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 500 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 1@4.5V |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | ±8 |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 55@10V |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 235@4.5V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.15 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |