SSM3K56ACT.L3F
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070929108
- Бренд
- Toshiba
- Type
- 1PCSNChannel
- Brand:
- Toshiba
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 10 ₽)
Минимальный заказ: 1217 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы U-MOSVII-H Toshiba U-MOSVII-H представляют собой устройства с логическим приводом и низковольтными вентильными приводами, предлагаемые как в одноканальном, так и в двуxканальном исполнении. Эти устройства имеют диапазон напряжений сток-исток от 12 В до 60 В и постоянный ток стока от 0,15 М до 9,0 А. МОП-транзисторы Toshiba U-MOSVII-H предлагаются в широком ассортименте компактныx корпусов для поверxностного монтажа, что делает иx идеальными для применения в условияx высокой плотности.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand: | Toshiba |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | CST3-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 1 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 1.4A |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 1.4 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 840 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 400 mV |