SSM3K56ACT,L3F, 20V 1.4A 500mW 235mOhm@4.5V,800mA 1V@1mA N Channel SOT-883-3 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017601661
- Артикул
- SSM3K56ACT,L3F
- Бренд
- Toshiba
- Type
- 1PCSNChannel
- Brand:
- Toshiba
- Вес, г
- 0.03
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 55 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
20 В 1,4А 500 МВт 235mOhm@4.5V, 800 мА 1 В@1 мА 1 шт. канальные МОП-транзисторы SOT-883-3 ROHS
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand: | Toshiba |
| Вес, г | 0.03 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | CST3-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 1 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 1.4A |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 1.4 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 840 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 400 mV |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 56 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 235mΩ@4.5V, 800mA |