SSM3K36MFV,L3F, МОП-транзисторы, 20 В 500 мА 630 мОм при 200 мА, 5 В 150 мВт 1 В при 1 мА 1 шт. Канал SOT-723 Транзистор
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025033412
- Артикул
- SSM3K36MFV,L3F
- Бренд
- Toshiba
- Brand:
- Toshiba
- Вес, г
- 0.04
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Цена по запросу
(от 23 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы U-MOSIII Toshiba U-MOSIII - это одно- и двуxканальные МОП-транзисторы, которые идеально подxодят для высокоскоростной коммутации. Эти МОП-транзисторы Toshiba обладают низким сопротивлением стока к источнику и низковольтным приводом затвора.
Технические параметры
| Brand: | Toshiba |
| Вес, г | 0.04 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT-723 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | SOT-723-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.23 nC |
| Структура | МОП-транзистор |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 8000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 150 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -5 V, +5 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 75 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 500 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 630 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 350 mV |
| Пороговое напряжение на затворе | -5 V, +5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.15 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 630 mOhms |