SSM3K361TU,LF, Trans MOSFET N-CH Si 100V 3.5A 3-Pin UFM T/R Automotive AEC-Q101
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002324806
- Артикул
- SSM3K361TU,LF
- Бренд
- Toshiba
- PPAP
- Unknown
- EU RoHS
- Compliant
- Material
- Si
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 34 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH Si 100V 3.5A Автомобильный 3-контактный UFM T/R
Технические параметры
| PPAP | Unknown |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Yes |
| Вес, г | 1 |
| Серия | SSM3K36 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | UFM |
| Process Technology | U-MOS VIII-H |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 7 ns |
| Typical Fall Time (ns) | 7 |
| Typical Rise Time (ns) | 9 |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Тип продукта | MOSFET |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка / блок | UFM-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1800 |
| Qg - заряд затвора | 3.2 nC |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 3.2 4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Время нарастания | 9 ns |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 3.5 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 430 15V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 69 10V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 3.5 A |
| Коммерческое обозначение | U-MOSVIII-H |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 51 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 16 ns |
| Типичное время задержки при включении | 21 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |