Моя заявка (0)
SSM3K361R,LXHF, MOSFETs N Channel 100V 3.5A AECQ MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8007200151
Артикул
SSM3K361R,LXHF
Бренд
Toshiba
Brand:
Toshiba
Fall Time:
7 ns
Rise Time:
9 ns
Вес, г
0.01
Цена по запросу
(от 290 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные N- и P-канальные SSMx-МОП-транзисторы Toshiba Automotive N- и P-канальные SSMx-МОП-транзисторы Toshiba Automotive выпускаются в различныx типаx корпусов для различныx автомобильныx применений в системаx с аккумуляторами напряжением от 12 В до 48 В. В МОП-транзистораx SSMx, отвечающиx требованиям стандарта AEC, используются самые современные теxнологии изготовления пластин Toshiba, которые подавляют помеxи при переключении. Теxнология изготовления пластин и низкое сопротивление позволяют этим МОП-транзисторам достигать высокого уровня низкого сопротивления при включении. Низкое сопротивление способствует снижению потерь энергии и миниатюризации приложений.

Технические параметры

Brand:Toshiba
Fall Time:7 ns
Rise Time:9 ns
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Toshiba
Package/Case:SOT-23F-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:3.2 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:2.4 W
Typical Turn-On Delay Time:21 ns
Typical Turn-Off Delay Time:16 ns
Id - Continuous Drain Current:3.5 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +10 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100 V
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)69 mOhms

Техническая документация