SSM3K361R.LF, SOT-23-3 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015760977
- Артикул
- SSM3K361R.LF
- Бренд
- Toshiba
- Type
- -
- Brand:
- Toshiba
- Product:
- MOSFETs
- Fall Time:
- 9 ns
Цена по запросу
(от 53 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
SOT-23-3 МОП-транзистора ROHS
Технические параметры
| Type | - |
| Brand: | Toshiba |
| Product: | MOSFETs |
| Fall Time: | 9 ns |
| Rise Time: | 7 ns |
| Вес, г | 0.04 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Toshiba |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 3.2 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | - |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.2 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 21 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | - |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 92 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | - |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | - |